VASP计算能带

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这里以计算体相Si的能带结构为例说明能带计算的基本步骤,首先能带结构需要三步计算:

① 结构优化

② 自洽(scf)计算, 得到CHGCAR,WAVECAR

③ 读入上一步的CHGCAR,进行非自洽计算

① 结构优化先前已经讲过了,设置基本的参数,准备好INCAR,KPOINTS, POTCAR, POSCAR和提交作业的脚本,提交作业即可;

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② 自洽(scf)计算, 得到电荷文件CHGCAR,所以只需要改NSW和LCHARG这两个参数

1. 新建一个文件夹scf mkdir scf

2. 把优化得到的INCAR,KPOINTS, POTCAR, CONTCAR,提交作业的脚本复制进入scf文件夹; cp INCAR KPOINTS POTCAR CONTCAR scf

3. 把CONTCAR拷贝成POSCAR文件 cp CONTACR POSCAR,得到POSCAR文件

4. 修改参数

NSW=0

LCHARG=.TRUE.

第二步结束后将得到电荷文件CHGCAR

③ 读入上一步的CHGCAR,进行非自洽计算

1. 在scf文件夹里新建文件夹 band mkdir band

2. 把INCAR,POTCAR, POSCAR,CHGCAR,提交作业的脚本复制进入band文件夹 cp INCAR POTCAR POSCAR CHGCAR band

3. 修改INCAR参数,因为需要读入上一步的CHGCAR文件,所以需要修改ISTART,ICHARG,同时记住把LCHARG改为FALSE:

ISTART=1

ICHARG=11

LCHARG=F

ISMEAR=0

4. 准备高对称点KPOINTS,因为能带结构就是在高对称点的连线上的能级,所以先前使用的五行式就不适用了,需要找到计算体系的倒易空间的高对称点路径。

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这篇文献列出了一系列体系的高对称点路径doi:10.1016/j.commatsci.2010.05.010,自取

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按照路径即可写出包含高对称点信息的KPOINTS;

或者可以使用vaspkit直接得到KPOINTS:vaspkit 3 根据自己的实际情况选择1D 2D 3D材料, 我们这个Si就是3D体系,所以选择303

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高对称点路径在http://KPATH.in文件里,cp http://KPATH.in KPOINTS

到此VASP计算能带第三步准备操作已完成,提交作业等着计算结束

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